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NUS3055MUTAG
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T A = 25 ° C, unless otherwise specified)
OVERVOLTAGE PROTECTION IC
7.05
1.0
7.00
0.9
6.95
6.90
6.85
0.8
0.7
6.80
0.6
6.75
6.70
?40
?25
?10
5
20
35
50
65
80
95
0.5
?40
?25
?10
5
20
35
50
65
80
95
Ambient Temperature ( ° C)
Figure 2. Typical V th Threshold Variation vs.
Temperature
Temperature ( ° C)
Figure 3. Typical Supply Current vs. Temperature
I cc ) I in , V CC + 6 V
http://onsemi.com
5
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相关代理商/技术参数
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NUS3065MUTAG 功能描述:监控电路 LO PROFILE OVERVLTG PROTECT IC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel
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NUS5530MN 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor
NUS5530MNR2G 功能描述:MOSFET INTEGRATED POWER BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NUS5531MT 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Main Switch Power MOSFET and Single Charging BJT
NUS5531MTR2G 功能描述:MOSFET 12V PFET W 20V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube